![]() |
Парни чем можно замени транзисторы 14N36, есть наш аналог или нет?
|
Цитата:
и вылетает при попадание воды в разъем ЭБУ |
aleks 2 поподробнее место жительства опиши иначе бомжом сделаю
И что за манера отвечать вопросом на вопрос. Похоже на окте уже пора создать группу "еврей" |
Полная маркировка вроде такая
HGT1S14N36G3VLS |
Цитата:
|
можно попробовать с комутатора ваз поставить, у меня на опель прокатило http://www.carcd.ru/forum/public/sty...O_DIR#>/27.gif
|
А мне поможете в Мкасе 7.1 сгорели два транзистора которые упровляют катушками
не магу найти датшит и аналог на транзисторе написона N447AB V3036S А на радио рынках прадавцы пожемают плечами. Может кто сталкивался раскажите. |
Это всё Микас 7.1.
Не поленился и вскрыл три ЭБУ, и вот что обноружил: 1. GS14C40L 405B 2. N414AB 14N36GVL 3. 14N36?????? Это всё одно итоже. Найдеш замену обязательно отпишись. P.S. С рождеством :PIVO :PIVO :PIVO |
|
Замены не нашёл.Транс 14N36GVL саставной мощность 18А
|
Цитата:
1. "Транс" в техническом контексте есть жаргонное слово из радиолюбительского лексикона, означающее ТРАНСФОРМАТОР . Просьба привыкнуть к этому и не вводить в заблуждение. 2. ТранЗистор иногда называют "транзюк". 3. СОставной - вообще-то, формально правильно, т.к. 14N36GVL состоит как бы из двух транзисторных структур, но такие транзисторы принято называть специальной аббревиатурой IGBT. А вот составными традиционно называют транзисторы Дарлингтона, которые составлены из двух обычных биполярных структур. Могут быть NPN или PNP. Популярные примеры КТ972, КТ973, КТ829, КТ898... 4. Мощность (черт побери) измеряется в ваттах Вт (W). 5. 18 А - это макс. допустимый постоянный ток коллектора (при t корпуса = +25 гр С и Uce<= 5 V) 14 А - тот же параметр для этого прибора, но (при t корпуса = +100 гр С и Uce<= 5 V) Цитата:
довольно существенно различается. Транзистор на замену реальнее поискать из аналогичных блоков, хотя можно и купить в магазине (мне удалось - на заказ). Цитата:
|
IGBT- это смесь биполярного и полевого транзистора.
IGBT транзисторы или биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT транзисторы), в которых в отличии от классического биполярного транзистора инжекция носителей в базу осуществляется не р-n переходом база –эмиттер, я полевым транзистором с изолированным затвором. Такая конструктивная особенность приводит к следующим важным свойствам. 1. База, как конструктивный элемент, через которую осуществляется пролет носителей как таковой отсутствует. 2. Эмиттер имеет площадь сравнимую с площадью коллектора. 3. Эмиттер и коллектор могут быть разнесены на значительное расстояние, что в совокупности с малым легированием коллектора позволяет достичь значительных пробивных напряжений. 4. В соответствии с п.3 приборы этого типа не могут достичь частотных характеристик как полевых транзисторов так и, тем более, классических биполярных приборов. в своё время они произвели фурор, у нас преподы кипятком ссали... |
Текущее время: 05:47. Часовой пояс GMT +3. |
Powered by vBulletin® Version 3.8.11
Copyright ©2000 - 2025, Jelsoft Enterprises Ltd.
Перевод: zCarot